[发明专利]一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制造方法

摘要

本发明涉及一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制造方法，尤其涉及一种有源矩阵有机发光显示器阵列基板的制造方法。本发明技术方案采用点阵激光源对非晶硅层的TFT区域进行定点结晶形成多晶硅沟道。采用这种结晶工艺可以节省激光源的消耗，提高产能，且不受阵列基板尺寸的限制。

主权项

一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制造方法，所述低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板包括：一基板；以及配置在该基板上的多个像素，呈矩阵排列；多条数据线，平行配置于像素之间；多条扫描线，平行配置于像素之间且与数据线垂直；所述像素的像素区域内具有一薄膜晶体管区域，所述薄膜晶体管区域内具有薄膜晶体管；所述低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制造方法包括：在基板上形成一缓冲层，在缓冲层上形成一非晶硅层，利用点阵激光对薄膜晶体管区域的非晶硅层进行照射使其形成多晶硅，然后在形成的多晶硅区域制备薄膜晶体管。