[发明专利]一种有机硅烷在聚二甲基硅氧烷表面的气相沉积方法有效

专利信息
申请号: 201010531294.2 申请日: 2010-10-23
公开(公告)号: CN102051591A 公开(公告)日: 2011-05-11
发明(设计)人: 王利;蔺存国 申请(专利权)人: 中国船舶重工集团公司第七二五研究所
主分类号: C23C16/00 分类号: C23C16/00;C23C16/44
代理公司: 青岛高晓专利事务所 37104 代理人: 张世功
地址: 266061 山东*** 国省代码: 山东;37
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明属于有机材料气相沉积技术领域,涉及一种有机硅烷在聚二甲基硅氧烷表面的气相沉积方法,制备具有持久亲水性、微纳米级微观结构、表面富集各类功能基团的表面材料,用于海洋生物污损防护和生物医学等场合,通过改良有机硅烷溶剂和水解条件,采用常规的气相沉积装置使有机硅烷沉积到羟基化处理后的聚二甲基硅氧烷表面,使有机硅烷水解产生的硅羟基与羟基化处理后的聚二甲基硅氧烷表面的各活性点结合后制备成具有性能稳定和所需特性的表面材料;先将有机硅烷溶于二甲基硅油中,再在湿润气氛下减压使有机硅烷气化并水解,然后气相沉积到羟基化处理后的聚二甲基硅氧烷表面;其整体原理简单,操作控制方便,反应成本低,效果好。
搜索关键词: 一种 有机 硅烷 聚二甲基硅氧烷 表面 沉积 方法
【主权项】:
一种有机硅烷在聚二甲基硅氧烷表面的气相沉积方法,其特征在于通过改良有机硅烷溶剂和水解条件,采用常规的气相沉积装置使有机硅烷沉积到羟基化处理后的聚二甲基硅氧烷表面,使有机硅烷水解产生的硅羟基与羟基化处理后的聚二甲基硅氧烷表面的各活性点结合后制备成具有性能稳定和所需特性的表面材料;先将有机硅烷溶于二甲基硅油中,再在湿润气氛下减压使有机硅烷气化并水解,然后气相沉积到羟基化处理后的聚二甲基硅氧烷表面,使有机硅烷水解产生的硅羟基与羟基化处理后PDMS表面的各活性点结合形成表面材料;其所述有机硅烷包括苯乙基三氯硅烷、烯丙基三氯硅烷、碳原子数为3‑16的烃基三氯硅烷、3‑(2‑氨基乙基)氨基丙基三甲氧基硅烷和氨丙基三甲氧基硅烷;所使用的气相沉积装置通过真空泵和真空表控制装置内的气压;通过在水槽中添加去离子水提供湿润气氛;其减压时的压力控制在10mbar以下;选择将羟基化处理后PDMS表面向下置于试剂槽顶部,PDMS试样下表面与有机硅烷溶液液面间距为0.5~2.0厘米;试剂槽顶部与PDMS表面接触部位设有通气缺口,保持试剂槽内气压与装置内气压一致;配制有机硅烷的二甲基硅油溶液时,有机硅烷的浓度控制在50‑300μl/4.0ml二甲基硅油;将有机硅烷加入到二甲基硅油后用涡旋混匀器混合5分钟;水槽中的加水体积为硅烷加入体积的1/3;有机硅烷在PDMS表面的气相沉积时间为10‑120分钟。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国船舶重工集团公司第七二五研究所,未经中国船舶重工集团公司第七二五研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010531294.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top