[发明专利]一种有机硅烷在聚二甲基硅氧烷表面的气相沉积方法有效
| 申请号: | 201010531294.2 | 申请日: | 2010-10-23 |
| 公开(公告)号: | CN102051591A | 公开(公告)日: | 2011-05-11 |
| 发明(设计)人: | 王利;蔺存国 | 申请(专利权)人: | 中国船舶重工集团公司第七二五研究所 |
| 主分类号: | C23C16/00 | 分类号: | C23C16/00;C23C16/44 |
| 代理公司: | 青岛高晓专利事务所 37104 | 代理人: | 张世功 |
| 地址: | 266061 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | 本发明属于有机材料气相沉积技术领域,涉及一种有机硅烷在聚二甲基硅氧烷表面的气相沉积方法,制备具有持久亲水性、微纳米级微观结构、表面富集各类功能基团的表面材料,用于海洋生物污损防护和生物医学等场合,通过改良有机硅烷溶剂和水解条件,采用常规的气相沉积装置使有机硅烷沉积到羟基化处理后的聚二甲基硅氧烷表面,使有机硅烷水解产生的硅羟基与羟基化处理后的聚二甲基硅氧烷表面的各活性点结合后制备成具有性能稳定和所需特性的表面材料;先将有机硅烷溶于二甲基硅油中,再在湿润气氛下减压使有机硅烷气化并水解,然后气相沉积到羟基化处理后的聚二甲基硅氧烷表面;其整体原理简单,操作控制方便,反应成本低,效果好。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 有机 硅烷 聚二甲基硅氧烷 表面 沉积 方法 | ||
【主权项】:
一种有机硅烷在聚二甲基硅氧烷表面的气相沉积方法,其特征在于通过改良有机硅烷溶剂和水解条件,采用常规的气相沉积装置使有机硅烷沉积到羟基化处理后的聚二甲基硅氧烷表面,使有机硅烷水解产生的硅羟基与羟基化处理后的聚二甲基硅氧烷表面的各活性点结合后制备成具有性能稳定和所需特性的表面材料;先将有机硅烷溶于二甲基硅油中,再在湿润气氛下减压使有机硅烷气化并水解,然后气相沉积到羟基化处理后的聚二甲基硅氧烷表面,使有机硅烷水解产生的硅羟基与羟基化处理后PDMS表面的各活性点结合形成表面材料;其所述有机硅烷包括苯乙基三氯硅烷、烯丙基三氯硅烷、碳原子数为3‑16的烃基三氯硅烷、3‑(2‑氨基乙基)氨基丙基三甲氧基硅烷和氨丙基三甲氧基硅烷;所使用的气相沉积装置通过真空泵和真空表控制装置内的气压;通过在水槽中添加去离子水提供湿润气氛;其减压时的压力控制在10mbar以下;选择将羟基化处理后PDMS表面向下置于试剂槽顶部,PDMS试样下表面与有机硅烷溶液液面间距为0.5~2.0厘米;试剂槽顶部与PDMS表面接触部位设有通气缺口,保持试剂槽内气压与装置内气压一致;配制有机硅烷的二甲基硅油溶液时,有机硅烷的浓度控制在50‑300μl/4.0ml二甲基硅油;将有机硅烷加入到二甲基硅油后用涡旋混匀器混合5分钟;水槽中的加水体积为硅烷加入体积的1/3;有机硅烷在PDMS表面的气相沉积时间为10‑120分钟。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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