[发明专利]物理检测样品制取方法无效
| 申请号： | 201010530825.6 | 申请日： | 2010-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN102466577A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 张佐兵;高慧敏;张顺勇;林岱庆;陈宏领 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种物理检测样品制取方法，包括：提供一晶圆截块，所述晶圆截块包括：依次生长的第一物理层、第二物理层和第三物理层，所述第二物理层与所述第一物理层相接触的表面为待观测面；剥离所述第一物理层，以暴露所述待观测面，从而形成物理检测样品。由此制得的物理检测样品，其待观测面位是暴露出来的，即待观测面不受任何物理层的阻挡，利用扫描电镜观测所述物理检测样品时，能够很清楚的观测待观测面，由此提高了物理检测的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 物理 检测 样品 制取 方法 | ||
【主权项】：
一种物理检测样品制取方法，其特征在于，包括：提供一晶圆截块，所述晶圆截块包括：依次生长的第一物理层、第二物理层和第三物理层，所述第二物理层与所述第一物理层相接触的表面为待观测面；剥离所述第一物理层，以暴露所述待观测面，从而形成物理检测样品。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;武汉新芯集成电路制造有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;武汉新芯集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010530825.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于进行拉曼光谱学的基于纳米线的系统
- 下一篇：一种制备高纯度丹参素钠的方法
