[发明专利]高压晶体管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种高压晶体管及其制造方法。高压晶体管的制造方法包括：在每个高压晶体管的P型衬底上形成掩埋P型注入物，每个高压晶体管包括源极和漏极，掩埋P型注入物与源极相邻，且掩埋P型注入物在栅极下延伸；在每个高压晶体管的P型衬底和掩埋P型注入物上积淀低掺杂外延层，低掺杂外延层从源极延伸到漏极；在每个高压晶体管的至少部分低掺杂外延层里形成N阱，N阱对应采用低压晶体管制造过程制造的低压晶体管N阱；以及在每个高压晶体管的部分N阱里或在每个高压晶体管的部分N阱的上面形成P顶扩散区，P顶扩散区补偿P型衬底对面的N阱表面上或N阱表面附近的N阱的掺杂浓度。由于无需N漂移层和额外的高温过程，从而降低了制造成本。

主权项

一种高压晶体管的制造方法，其特征在于，所述高压晶体管的制造方法包括：在每个高压晶体管的P型衬底上形成掩埋P型注入物，所述每个高压晶体管包括源极和漏极，所述掩埋P型注入物与所述源极相邻，所述掩埋P型注入物在栅极下延伸；在每个高压晶体管的所述P型衬底和所述掩埋P型注入物上积淀低掺杂外延层，所述低掺杂外延层从所述源极延伸到所述漏极；在每个高压晶体管的至少部分低掺杂外延层中形成N阱，所述N阱对应采用低压晶体管制造过程制造的低压晶体管N阱；以及在每个高压晶体管的部分N阱里或在每个高压晶体管的部分N阱的上面形成P顶扩散区，所述P顶扩散区补偿所述P型衬底对面的N阱表面上或所述P型衬底对面的N阱表面附近的N阱的掺杂浓度。