[发明专利]复合式驻极体无效
| 申请号： | 201010525869.X | 申请日： | 2010-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN102074353A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 施希弦;高哲一;吴建宗;陈柏村 | 申请（专利权）人： | 奇菱科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01G7/02 | 分类号： | H01G7/02 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;熊须远 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种复合式驻极体，包含有至少一个第一介电层以及至少一个第二介电层，其中第一介电层与第二介电层为相互交错堆栈，第一介电层具有高分子，第二介电层具有高分子，且第一介电层的高分子与第二介电层的高分子不相同。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 式驻极体 | ||
【主权项】：
一种复合式驻极体，包含有至少一第一介电层以及至少一第二介电层，其中该第一介电层与该第二介电层为相互交错堆栈，该第一介电层具有至少一高分子，该第二介电层具有至少一高分子，且该第一介电层的高分子与该第二介电层的高分子不相同。
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