[发明专利]形成用于接触插塞的金属硅化物的方法

摘要

本发明公开一种形成用于接触插塞的金属硅化物的方法。首先，提供一基材。其次，在基材上形成一栅极结构，此栅极结构包含一硅层、一栅极介电层与至少一间隙壁。然后，形成一组源极与漏极，其位于基材中并邻近栅极结构。继续，形成一层间介电层，其覆盖栅极结构、源极与漏极。再来，选择性移除层间介电层，以暴露栅极结构。之后，在层间介电层中形成多个接触洞，以暴露部分的基材。接着，将暴露的基材反应形成金属硅化物。

主权项

一种形成用于接触插塞的金属硅化物的方法，包含：提供一基材；在该基材上形成一栅极结构，该栅极结构包含一硅层、一栅极介电层与至少一间隙壁；形成一组源极与漏极，其位于该基材中并邻近该栅极结构；形成一层间介电层，其覆盖该栅极结构、该源极与该漏极；选择性移除该层间介电层，以暴露该栅极结构：在该层间介电层中形成多个接触洞，以暴露部分基材；以及将接触洞暴露出的该部分基材反应成该金属硅化物。