[发明专利]单晶硅腐蚀剂的制备方法、对凸角硅进行腐蚀的方法

摘要

本发明公开了一种单晶硅腐蚀剂的制备方法、对凸角硅进行腐蚀的方法。单晶硅腐蚀剂的制备方法包括：稀释四甲基氢氧化铵原液，形成四甲基氢氧化铵溶液；在所述四甲基氢氧化铵溶液中加入脂肪醇聚氧乙烯醚；搅拌所述脂肪醇聚氧乙烯醚，直至完全溶解于所述四甲基氢氧化铵溶液中，形成所述单晶硅腐蚀剂。本发明采用了对环境和人体危害小的脂肪醇聚氧乙烯醚作为四甲基氢氧化铵溶液硅腐蚀液的添加剂，实现了抑制晶体硅中除晶面的其他快速腐蚀晶面的腐蚀速率的功能；并且，使用此溶液进行硅腐蚀的时候，无需对凸角结构进行补偿；腐蚀速率稳定，腐蚀得到的硅表面光滑，同时兼容COMS工艺。

主权项

一种对凸角硅结构具有低腐蚀速率的单晶硅腐蚀剂的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：稀释步骤，稀释四甲基氢氧化铵原液，形成四甲基氢氧化铵溶液；加入步骤，在所述四甲基氢氧化铵溶液中加入脂肪醇聚氧乙烯醚；溶解步骤，搅拌，直至所述脂肪醇聚氧乙烯醚完全溶解于所述四甲基氢氧化铵溶液中，形成所述单晶硅腐蚀剂。