[发明专利]集成电路装置的制造方法有效
| 申请号： | 201010517234.5 | 申请日： | 2010-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN102194682A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 王祥保 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种集成电路装置的制造方法，该制造方法包含下列步骤：提供半导体基板；形成栅极物质层在半导体基板上；形成硬屏蔽层在栅极物质层上；对硬屏蔽层进行图案化，以形成硬屏蔽图形；形成间隙壁层在硬屏蔽图形上；对间隙壁层进行回蚀以形成间隙壁在硬屏蔽图形的侧壁上；利用间隙壁及硬屏蔽图形做为刻蚀屏蔽，对栅极物质层进行刻蚀以形成一栅极结构；在半导体基板进行斜向离子注入。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路装置的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：提供一基板；形成一物质层在该基板上；形成一硬屏蔽图形在该物质层上；形成多个间隙壁在该硬屏蔽图形的多个侧壁上，其中该硬屏蔽图形及上述间隙壁形成一组合硬屏蔽特征图样；以及利用该组合硬屏蔽特征图样做为一刻蚀屏蔽，对该物质层进行图案化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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