[发明专利]一种低卤高导电性单组份银导电胶无效

专利信息
申请号: 201010510618.4 申请日: 2010-10-15
公开(公告)号: CN102443370A 公开(公告)日: 2012-05-09
发明(设计)人: 王金福;叶锋;邱波;陈伟 申请(专利权)人: 深圳市道尔科技有限公司
主分类号: C09J163/00 分类号: C09J163/00;C09J163/02;C09J163/04;C09J9/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518119 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种低卤高导电性单组份银导电胶及其制备方法。通过选择适合的树脂及固化剂,采用微米银粉、纳米银粉混合组成导电填料;分别添加K-570偶联剂、磷酸酯类消泡剂、多元酸类导电促进剂、TNP类防抗老化剂和环氧树脂改性物作为储存稳定剂,制备一种低卤、高导电性、耐老化性能强、储存稳定的各项同性银导电胶。银导电胶在常温储存和运输的情况下,不会沉降、分层或变色;卤素小于200ppm、体电阻率达到10-4~10-5Ω.cm、剪切强度>6MPa、耐热温度>230℃和抗老化性能好。主要应用范围涉及LED、石英谐振器、片式元器件粘结以及微电子组装等领域。
搜索关键词: 一种 低卤高 导电性 单组份银 导电
【主权项】:
一种低卤高导电性单组份银导电胶,其重量份数配比如下:液态环氧树脂:10~15份稀释剂:      10~15份潜伏性固化剂:0.5~1.5份固化促进剂:  0.2~0.8份微米银粉:    50~60份纳米银粉:    10~15份偶联剂:      1~2份消泡剂:      0.5~1份导电促进剂:  0.5~1份抗老化剂:    0.5~1份储存稳定剂:  2~3份。
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