[发明专利]将相变存储器并入CMOS工艺的非易失性SRAM单元有效
| 申请号： | 201010508771.3 | 申请日： | 2010-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN102122528A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | R·法肯索尔 | 申请（专利权）人： | 恒忆公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 肖冰滨;南毅宁 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 一种SRAM单元，该SRAM单元具有由CMOS技术形成的两个交叉耦合反相器以及第一和第二硫族化物元件，该第一和第二硫族化物元件与SRAM单元相集成，以将非易失性性质添加到存储单元。PCM阻抗被编程为SET状态和RESET状态，并且当加电时，SRAM单元加载包含在PCM单元中的数据。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 并入 cmos 工艺 非易失性 sram 单元 | ||
【主权项】：
一种存储单元，该存储单元包括：静态随机存取存储器单元，该静态随机存取存储器单元具有两个通道晶体管和四个连接在两个交叉耦合的反相器中的逻辑晶体管，该静态随机存取存储器单元由互补金属氧化物半导体技术形成；以及相变存储器部分，该相变存储器部分层叠在所述静态随机存取存储器单元上，以给该静态随机存取存储器单元提供非易失性。
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