[发明专利]纳米复合相变材料及其在相变存储器中的用途无效
| 申请号： | 201010507542.X | 申请日： | 2010-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN102082228A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 吕业刚;宋三年;宋志棠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C23C14/34;B82Y10/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种纳米复合相变材料及其制备方法、以及在相变存储器中的应用。其中，所述纳米复合相变材料包含：重量百分比为2-30％的介质材料TiO2和重量百分比为70-98％的相变材料Ge2Te3，由于Ge2Te3相变材料与TiO2在纳米尺度的均匀复合，相变材料分布在由介质材料TiO2形成的纳米框架结构中，一方面抑制了相变材料的结晶，提升了材料的晶化温度；另一方面相变材料的挥发得到了有效的抑制，组分偏析情况得到明显改善，增加了材料的稳定性。这种新型纳米复合相变薄膜应用到存储器中，可使相变存储器件的RESET电压降低，有利于实现高密度存储，提高相变存储器的编程过程中的加热效率，降低其功耗，提升数据保持能力、疲劳特性和抗辐照能力等。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 复合 相变 材料 及其 存储器 中的 用途 | ||
【主权项】：
一种纳米复合相变材料，其特征在于包括：重量百分比为2‑30％的介质材料TiO2、以及重量百分比为70‑98％的相变材料Ge2Te3。
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