[发明专利]一种钨/低活化钢的真空电子束钎焊连接方法无效
申请号: | 201010298801.2 | 申请日: | 2010-09-29 |
公开(公告)号: | CN102000895A | 公开(公告)日: | 2011-04-06 |
发明(设计)人: | 燕青芝;郭双全;葛昌纯 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
主分类号: | B23K1/005 | 分类号: | B23K1/005;B23K1/20;B23K103/18 |
代理公司: | 北京东方汇众知识产权代理事务所(普通合伙) 11296 | 代理人: | 刘淑芬;刘淑芬 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种钨/低活化钢的真空电子束钎焊连接方法,属于金属材料领域。具体是以成分为Ti:30-50%,Zr:30-50%,Cu:10-15%,Ni:5-10%(wt%)的非晶态Ti基箔带为钎料,采用真空电子束钎焊技术进行钨与低活化钢的钎焊连接。施焊时从钨的表面进行电子束面扫描加热,温度控制在800-1200℃,腔室内工作真空度1.0-5.0×10-3Pa,加速电压100-150KV,聚焦电流100-600mA,电子束流1-10mA,扫描频率为0.1-1KHz,采用计算机控制高频扫描线圈,加热时间为1-5分钟。本发明方法可以使钨与低活化钢在短时间内实现连接,效率高,焊缝界面结合完好,没有孔隙、夹杂、裂纹等缺陷。可广泛应用于磁约束核聚变实验装置中氦冷偏滤器部件的连接。 | ||
搜索关键词: | 一种 活化 真空 电子束 钎焊 连接 方法 | ||
【主权项】:
一种钨/低活化钢的真空电子束钎焊连接方法,其特征在于采用真空电子束钎焊技术进行连接,非晶态箔带钛基钎料为填充钎料,非晶态箔带钛基钎料成分为Ti:30‑50%,Zr:30‑50%,Cu:10‑15%,Ni:5‑0%(wt%),厚度为微米级。
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