[发明专利]利用晶片键合技术的光调制器有效
| 申请号： | 201010294306.4 | 申请日： | 2010-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN102033332A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | H·荣;A·刘 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G02F1/015 | 分类号： | G02F1/015;H01L29/94;H01L21/334 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;夏青 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 利用晶片键合技术的光调制器。一种方法的实施例包括：蚀刻绝缘体上硅(SOI)晶片以在所述SOI晶片的第一表面上制造硅波导结构的第一部分，以及制备第二晶片，所述第二晶片包括晶体硅层，所述第二晶片包括晶体硅的第一表面。该方法还包括：利用晶片键合技术将具有薄氧化物的所述第二晶片的所述第一表面键合到所述SOI晶片的所述第一表面，其中在所述晶体硅层中蚀刻所述硅波导结构的第二部分。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 晶片 技术 调制器 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：蚀刻绝缘体上硅(SOI)晶片以在所述SOI晶片的第一表面上制造硅波导结构的第一部分；制备第二晶片，所述第二晶片包括晶体硅层，所述第二晶片包括晶体硅的第一表面；利用晶片键合技术将具有薄氧化物的所述第二晶片的所述第一表面键合到所述SOI晶片的所述第一表面；其中，在所述晶体硅层中蚀刻所述硅波导结构的第二部分。
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