[发明专利]一种薄膜结构发光二极管

摘要

本发明公开一种薄膜结构发光二极管，包括：外延片、键合衬底和通孔金属栓。外延片的P型半导体层上设有第一键合金属层；且外延片上设有凹孔深至N型半导体层，凹孔内的N型半导体层表面设有N电极；外延片的表面包裹有保护膜仅将第一键合金属层和N电极露出；键合衬底设有与凹孔对应的通孔，键合衬底上设有与第一键合金属层配合的第二键合金属层；外延片与键合衬底键合对接在一起，通孔金属栓位于通孔和凹孔中，与N电极接触将电极引出，通过第一键合金属层或第二键合金属层作为P电极引出。该结构可增加芯片键合牢固性，增加热扩散面积，降低热阻，改善电流注入，且N电极设于出光面背面，从而可提高LED发光效率。

主权项

一种薄膜结构发光二极管，其特征在于，包括：外延片、键合衬底以及通孔金属栓；所述外延片至少包括N型半导体层、位于N型半导体层上的有源层、位于有源层上的P型半导体层；在P型半导体层上依次设有透明导电层和反射层；在所述反射层上设有第一键合金属层；所述外延片上设有凹孔，所述凹孔深至N型半导体层，在所述凹孔内的N型半导体层表面设有N电极；所述外延片以及透明导电层和反射层的表面包裹有第一绝缘保护层，仅将所述第一键合金属层和N电极露出；所述键合衬底中设有与所述凹孔相对应的通孔；在所述键合衬底上还设有与所述第一键合金属层相配合的第二键合金属层；所述外延片与所述键合衬底通过第一键合金属层和第二键合金属层键合连接在一起，第一键合金属层或第二键合金属层作为P电极引出；所述通孔和凹孔相对接形成空腔，所述通孔金属栓位于该空腔中与N电极接触，从而将N电极引出。