[发明专利]二氧化锰-氧化银复合氧化物纳米片及其采用石墨烯为模板制备的方法有效
申请号: | 201010291237.1 | 申请日: | 2010-09-21 |
公开(公告)号: | CN102010008A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | 陈胜;汪信;朱俊武;刘孝恒;杨绪杰;陆路德;韩巧凤 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 |
主分类号: | C01G45/02 | 分类号: | C01G45/02;C01G5/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 唐代盛 |
地址: | 210094 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种二氧化锰-氧化银复合氧化物纳米片及其采用石墨烯为模板制备的方法,包括以下步骤:将天然石墨分散于N-甲基吡咯烷酮中,然后进行超声处理;将所得混合物进行离心,弃底部残留固体,取其上层的混合液;将AgNO3溶解于量水中,形成AgNO3水溶液;将AgNO3溶液加入步骤二混合液中,搅拌反应;KMnO4溶解于量水中,形成KMnO4水溶液;将KMnO4溶液加入步骤四混合液中,搅拌反应;离心、洗涤、干燥、研磨即得二氧化锰-氧化银复合氧化物纳米片材料。本发明是一种操作简单的软化学方法,在温和条件下可制备具有优异电化学性能的二氧化锰-氧化银复合氧化物纳米片材料。 | ||
搜索关键词: | 二氧化锰 氧化银 复合 氧化物 纳米 及其 采用 石墨 模板 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种二氧化锰‑氧化银复合氧化物纳米片,其特征在于由以下步骤制备而得:步骤1:将天然石墨分散于N‑甲基吡咯烷酮中,然后进行超声处理;步骤2:将步骤1中超声处理后所得混合物进行离心,弃底部残留固体,取其上层的混合液,即石墨烯分散于N‑甲基吡咯烷酮中形成的悬浮液;步骤3:将AgNO3溶解于水中,形成AgNO3水溶液;步骤4:将步骤3中AgNO3溶液加入步骤2的混合液中,搅拌反应得到Ag2O负载在石墨烯上的复合物;步骤5:KMnO4溶解于水中;形成KMnO4水溶液;步骤6:将步骤5中KMnO4溶液加入步骤4得到的复合物混合液中,搅拌反应,石墨烯与KMnO4生成MnO2,反应方程式为4KMnO4+3C+H2O→4MnO2+K2CO3+2KHCO3,从而Ag2O负载在二氧化锰片上;步骤7:将步骤6反应后得到的混合液,离心、洗涤、干燥、研磨即得二氧化锰‑氧化银复合氧化物纳米片材料。
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