[发明专利]一种高性能氮化铝陶瓷的低温烧结方法无效
| 申请号： | 201010289059.9 | 申请日： | 2010-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN101948315A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | 刘新宽;刘平;周敬恩;马明亮;席生岐 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/581 | 分类号： | C04B35/581;C04B35/64 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 吴宝根 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高性能氮化铝陶瓷的低温烧结方法，属于氮化物陶瓷领域。即在平均颗粒尺寸为8～20μm，氮化铝晶粒尺寸约30nm的氮化铝粉末中，添加少量的烧结助剂混合后装入石墨模具中，然后于热压烧结炉中控制烧结温度为1500～1600℃进行烧结，最终得氮化铝陶瓷。所得的氮化铝陶瓷结构致密，其热导率介于120～150Ｗ·m-1·Ｋ-1之间，三点弯曲强度为400～500MPa，显微硬度为Hv1200MPa，气孔率为1～3%。本发明提供的低温烧结方法烧结炉的尺寸较小，结构简单，可实现连续烧结，非常适于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 性能 氮化 陶瓷 低温 烧结 方法 | ||
【主权项】：
一种高性能氮化铝陶瓷的低温烧结方法，其特征在于步骤如下：将氮化铝粉末加入烧结助剂，混合后装入石墨模具中，然后将其放于真空热压烧结炉中烧结，控制烧结温度为1500～1600℃，烧结后切断电源并随炉冷却到室温，最终得氮化铝陶瓷；所述的氮化铝粉末的平均颗粒尺寸为8～20μm，氮化铝晶粒尺寸约为30nm。
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