[发明专利]3D成像装置、用于制造该3D成像装置的方法及3D成像系统无效
申请号: | 201010287355.5 | 申请日: | 2010-09-17 |
公开(公告)号: | CN102024833A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 斯特凡娜·盖廷;皮埃尔·费雷;塞尔吉奥·尼科莱蒂 | 申请(专利权)人: | 法国原子能及替代能源委员会 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | 本发明涉及3D成像装置、用于制造该3D成像装置的方法以及3D成像系统,该3D成像装置包括:光电探测器(2)矩阵(M);固定在光电探测器矩阵的一个表面上的材料层(1),材料层(1)能够吸收或反射光,每个光电探测器(2)处的所述材料层中均形成有开口(3);固定在所述材料(1)层上的能够反射或吸收光的绝缘材料层(6),绝缘材料层(6)具有在其本体中包围一组G个波导件(5)的一个表面,这组波导件中的每个波导件(5)均与开口(3)相对地、且关于所述表面竖直地设置,关于绝缘材料层的表面考虑的不同波导件的高度定义N个不同水平,N为大于或等于2的整数。 | ||
搜索关键词: | 成像 装置 用于 制造 方法 系统 | ||
【主权项】:
一种3D成像装置,包括光电探测器(2)矩阵(M),其特征在于,所述3D成像装置包括:‑第一材料层(1),固定在所述光电探测器矩阵的一个表面上,所述第一材料层(1)能够反射或吸收入射到其表面(3)中的任意一个上的光,每个光电探测器(2)处的所述第一材料层中均形成有开口;以及‑第二材料层(6),由电绝缘材料形成,具有固定在所述第一材料层(1)上的第一表面,所述第二材料层(6)在其本体中包围一组G个波导件(5),G是大于或等于2的整数,这组G个波导件中的每个波导件(5)均具有与所述第二材料层的所述第一表面基本齐平并基本面对开口(3)设置的第一端以及与所述第二材料层(6)的与所述第一表面相对的第二表面基本齐平的第二端,每个第二端均形成用于入射到所述第二材料层的所述第二表面上的光的传感器元件,将N个不同波导件的所述第一端与所述第二端分开的距离彼此不同,N为大于或等于2且小于或等于G的整数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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