[发明专利]金属绕穿型背接触太阳电池、制备方法及其组件无效
申请号: | 201010286285.1 | 申请日: | 2010-09-06 |
公开(公告)号: | CN102386254A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
发明(设计)人: | 艾凡凡;王玉林;蔡昭;杨健;陈如龙;薛小兴;张光春 | 申请(专利权)人: | 无锡尚德太阳能电力有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李湘;高为 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种金属绕穿型背接触太阳电池、制备方法及其组件,属于光伏技术领域。该太阳电池包括:电池衬底之中的第一导电类型区域和第二导电类型区域,形成于电池衬底的正面的副栅线,穿过电池衬底的通孔,电池衬底的背面的主栅电极,电池衬底的背面的第二电极,以及隔离槽;其中,第二电极还用于对其所接触的第二导电类型区域自对准补偿掺杂,第一导电类型区域经过所产生的电流通过被自对准补偿掺杂的第二导电类型区域输出至第二电极。该制备方法中,在电池衬底正面构图形成副栅线、并在电池衬底背面上构图形成主栅电极以及第二电极,第二电极对其所接触的第二导电类型区域自对准补偿掺杂。因此,该背接触太阳电池工艺简单、成本低。 | ||
搜索关键词: | 金属 绕穿型背 接触 太阳电池 制备 方法 及其 组件 | ||
【主权项】:
一种金属绕穿型背接触太阳电池,其包括:电池衬底之中的第一导电类型区域和设置在所述第一导电类型区域之上的第二导电类型区域;形成于所述电池衬底的正面的、与所述第二导电类型区域电性连接的副栅线;穿过所述电池衬底的通孔;基于所述通孔与所述副栅线连接的、构图形成于所述电池衬底的背面的主栅电极;构图形成于所述电池衬底的背面的、与所述第一导电类型区域电性连接的第二电极;以及用于隔离所述主栅电极和所述第二电极的第一隔离槽;其中,所述第二电极还用于对其所接触的所述第二导电类型区域自对准补偿掺杂,所述第一导电类型区域所产生的电流通过被自对准补偿掺杂的第二导电类型区域输出至所述第二电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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