[发明专利]金属绕穿型背接触太阳电池、制备方法及其组件无效

专利信息
申请号: 201010286285.1 申请日: 2010-09-06
公开(公告)号: CN102386254A 公开(公告)日: 2012-03-21
发明(设计)人: 艾凡凡;王玉林;蔡昭;杨健;陈如龙;薛小兴;张光春 申请(专利权)人: 无锡尚德太阳能电力有限公司
主分类号: H01L31/042 分类号: H01L31/042;H01L31/0224;H01L31/18
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 李湘;高为
地址: 214028 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种金属绕穿型背接触太阳电池、制备方法及其组件,属于光伏技术领域。该太阳电池包括:电池衬底之中的第一导电类型区域和第二导电类型区域,形成于电池衬底的正面的副栅线,穿过电池衬底的通孔,电池衬底的背面的主栅电极,电池衬底的背面的第二电极,以及隔离槽;其中,第二电极还用于对其所接触的第二导电类型区域自对准补偿掺杂,第一导电类型区域经过所产生的电流通过被自对准补偿掺杂的第二导电类型区域输出至第二电极。该制备方法中,在电池衬底正面构图形成副栅线、并在电池衬底背面上构图形成主栅电极以及第二电极,第二电极对其所接触的第二导电类型区域自对准补偿掺杂。因此,该背接触太阳电池工艺简单、成本低。
搜索关键词: 金属 绕穿型背 接触 太阳电池 制备 方法 及其 组件
【主权项】:
一种金属绕穿型背接触太阳电池,其包括:电池衬底之中的第一导电类型区域和设置在所述第一导电类型区域之上的第二导电类型区域;形成于所述电池衬底的正面的、与所述第二导电类型区域电性连接的副栅线;穿过所述电池衬底的通孔;基于所述通孔与所述副栅线连接的、构图形成于所述电池衬底的背面的主栅电极;构图形成于所述电池衬底的背面的、与所述第一导电类型区域电性连接的第二电极;以及用于隔离所述主栅电极和所述第二电极的第一隔离槽;其中,所述第二电极还用于对其所接触的所述第二导电类型区域自对准补偿掺杂,所述第一导电类型区域所产生的电流通过被自对准补偿掺杂的第二导电类型区域输出至所述第二电极。
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