[发明专利]一种超高深宽比微型气相色谱柱及其MEMS加工方法无效
申请号: | 201010286221.1 | 申请日: | 2010-09-19 |
公开(公告)号: | CN102004137A | 公开(公告)日: | 2011-04-06 |
发明(设计)人: | 杜晓松;廖明杰;王力;熊丽霞;谢光忠;蒋亚东 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G01N30/60 | 分类号: | G01N30/60;B81C1/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种超高深宽比微型气相色谱柱及其MEMS加工方法,该微型气相色谱柱包括多层硅和玻璃,形成一个底层,若干个中间层和一个顶层,利用干法刻蚀技术在各个中间层中形成图案相同的镂空的垂直沟槽,而在底层和顶层中形成半刻蚀的垂直沟槽,以硅-玻璃相间隔的顺序将底层、中间层和顶层逐层阳极键合在一起,并使得各层材料中的垂直沟槽严格对准。本发明的特点是采用了键合技术使得各层的深槽在垂直方向上逐层叠加在一起,因此,槽的深度不再受制于干法刻蚀对深宽比的限制,可以实现1mm以上的超深宽比的垂直深槽,从而大幅度地提升色谱的性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 高深 微型 色谱 及其 mems 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种超高深宽比微型气相色谱柱,其特征在于:由多层硅和多层玻璃构成,形成一个底层、若干个中间层和一个顶层,在各层中具有相同图案和尺寸的垂直沟槽,其中底层和顶层的垂直沟槽的深度为该层厚度的一半,而中间层的垂直沟槽的深度等于该层的厚度,形成镂空的中间层,将底层、中间层和顶层按硅和玻璃相互间隔的排列方式键合在一起,使得各层的垂直沟槽严格对准,形成一条超高深宽比的垂直沟槽,沟槽的内壁涂覆有固定相。
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