[发明专利]纳米级ULSI-Cu布线HfSiN扩散阻挡层薄膜及制备工艺无效
| 申请号： | 201010285661.5 | 申请日： | 2010-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN101969067A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 陈秀华;张伟强;项金钟;张在玉;王莉红 | 申请（专利权）人： | 云南大学 |
| 主分类号： | H01L29/02 | 分类号： | H01L29/02;H01L21/31;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 昆明今威专利代理有限公司 53115 | 代理人： | 赵云 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米级超大规模集成电路（ULSI）Cu布线HfSiN扩散阻挡层材料及其制备工艺。本发明的材料是在Si基底上有一层由Hf靶或Si靶或HfSi合金靶溅射沉积的非晶态HfSiN薄膜，且非晶态HfSiN薄膜总厚度≤45nm，其工艺是利用射频磁控溅射工艺在高真空下，N2与Ar混合后，经射频磁控溅射沉积得到HfSiN/Cu/HfSiN/SiO2/Si多层膜。本发明所制备的HfSiN扩散阻挡层材料可有效的阻挡Cu的扩散，并且适用于亚45nm级集成电路Cu布线互连工艺的发展趋势。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 ulsi cu 布线 hfsin 扩散 阻挡 薄膜 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种纳米级ULSI‑Cu布线扩散阻挡层薄膜，其特征在于：在Si基底上有一层由Hf靶或Si靶或HfSi合金靶溅射沉积的非晶态HfSiN薄膜，且非晶态HfSiN薄膜总厚度≤45nm。
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