[发明专利]铜金属化自形成阻挡层低温退火方法有效
| 申请号： | 201010282532.0 | 申请日： | 2010-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN102005384A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 王颖;曹菲;张密林;张涛 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工程大学 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明提供的是一种铜金属化自形成阻挡层低温退火方法。铜合金膜淀积于含氧化合物介质之上得到的金属化体系，将得到的金属化体系在300-400℃的温度下退火处理，退火处理时，在金属化体系上施加10V-60V的偏压，在该偏压作用下产生由含氧化合物介质指向铜合金膜方向的电场，使铜合金膜中合金原子更容易偏析并在电场作用下向界面输运，与层间介质反应自形成扩散阻挡层。本发明在不增加工艺复杂度的情况下，有效地解决了铜金属化体系电阻率和热稳定性在退火温度方面的矛盾要求。同时，该工艺具有实施简单，与半导体器件制造工艺相兼容的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 金属化 形成 阻挡 低温 退火 方法 | ||
【主权项】：
一种铜金属化自形成阻挡层低温退火方法，其特征是：铜合金膜淀积于含氧化合物介质之上得到的金属化体系，将得到的金属化体系在300‑400℃的温度下退火处理，退火处理时，在金属化体系上施加10V‑60V的偏压，在该偏压作用下产生由含氧化合物介质指向铜合金膜方向的电场，使铜合金膜中合金原子更容易偏析并在电场作用下向界面输运，与层间介质反应自形成扩散阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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