[发明专利]双金属电极脉冲直流偏置电沉积制备纳米金属颗粒的方法有效
申请号: | 201010282103.3 | 申请日: | 2010-09-15 |
公开(公告)号: | CN102367582A | 公开(公告)日: | 2012-03-07 |
发明(设计)人: | 涂江平 | 申请(专利权)人: | 北京奈艾斯新材料科技有限公司 |
主分类号: | C25C5/02 | 分类号: | C25C5/02;C25C7/02;C25C7/06 |
代理公司: | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人: | 尚世浩 |
地址: | 100000 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 双金属电极脉冲直流偏置电沉积制备纳米金属颗粒的方法,它涉及金属纳米颗粒的制备方法。将两片金属板平行并列放入装有电解质水溶液的电解槽中,两块金属板分别连接脉冲直流偏置电源的正、负极,室温下,施加波形为方波,脉冲频率为60~100Hz,脉冲电压幅值为8~12V,偏置电压为2~5V,偏置电流密度为0.005~0.05A/dm2的脉冲直流偏置电流,获得粒径为3~30nm的金属颗粒;能实现规模化高产率生产优质纳米金属颗粒,工艺简单,能耗低,产率高,环保,适合于规模化生产。 | ||
搜索关键词: | 双金属 电极 脉冲 直流 偏置 沉积 制备 纳米 金属 颗粒 方法 | ||
【主权项】:
双金属电极脉冲直流偏置电沉积制备纳米金属颗粒的方法,其特征在于将两片金平行并列放入装有电解质水溶液的电解槽中,两块金属板分别连接脉冲直流偏置电源的正、负极,室温下,施加波形为方波,脉冲频率为60~100Hz,脉冲电压幅值为8~12V,偏置电压为2~5V,偏置电流密度为0.005~0.05A/dm2的脉冲直流偏置电流,获得粒径为3~30nm的金属溶胶。
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