[发明专利]双金属电极脉冲直流偏置电沉积制备纳米金属颗粒的方法有效

专利信息
申请号: 201010282103.3 申请日: 2010-09-15
公开(公告)号: CN102367582A 公开(公告)日: 2012-03-07
发明(设计)人: 涂江平 申请(专利权)人: 北京奈艾斯新材料科技有限公司
主分类号: C25C5/02 分类号: C25C5/02;C25C7/02;C25C7/06
代理公司: 北京维澳专利代理有限公司 11252 代理人: 尚世浩
地址: 100000 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 双金属电极脉冲直流偏置电沉积制备纳米金属颗粒的方法,它涉及金属纳米颗粒的制备方法。将两片金属板平行并列放入装有电解质水溶液的电解槽中,两块金属板分别连接脉冲直流偏置电源的正、负极,室温下,施加波形为方波,脉冲频率为60~100Hz,脉冲电压幅值为8~12V,偏置电压为2~5V,偏置电流密度为0.005~0.05A/dm2的脉冲直流偏置电流,获得粒径为3~30nm的金属颗粒;能实现规模化高产率生产优质纳米金属颗粒,工艺简单,能耗低,产率高,环保,适合于规模化生产。
搜索关键词: 双金属 电极 脉冲 直流 偏置 沉积 制备 纳米 金属 颗粒 方法
【主权项】:
双金属电极脉冲直流偏置电沉积制备纳米金属颗粒的方法,其特征在于将两片金平行并列放入装有电解质水溶液的电解槽中,两块金属板分别连接脉冲直流偏置电源的正、负极,室温下,施加波形为方波,脉冲频率为60~100Hz,脉冲电压幅值为8~12V,偏置电压为2~5V,偏置电流密度为0.005~0.05A/dm2的脉冲直流偏置电流,获得粒径为3~30nm的金属溶胶。
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