[发明专利]SiGeHBT发射极与基极之间隔离的膜层结构及方法无效
| 申请号： | 201010280753.4 | 申请日： | 2010-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN102403345A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 陈帆;陈雄斌;徐炯;周正良 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiGeHBT发射极与基极之间隔离的膜层结构及方法；所述硅锗异质结双极晶体管发射极与基极之间为复合膜层结构，自下而上分别为：二氧化硅，多晶硅与氮化硅。本发明提出一种新的膜层结构，用于三极管发射极与基极之间的隔离，通过降低氧化硅介质层的厚度来实现降低过刻蚀的量，减小横向尺寸的增大，同时通过避免二氧化硅部分干法刻蚀来避免重附产聚合物的产生和堆积，进一步减小的二氧化硅湿法刻蚀的量，减小横向尺寸的增大。通过本征多晶硅，实现二氧化硅介质层的减薄并且维持足够的小的电容。本征多晶硅表面覆盖的氮化硅可以避免后续的发射极多晶掺杂扩散进入本征多晶。 | ||
| 搜索关键词： | sigehbt 发射极 基极 之间 隔离 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种SiGeHBT发射极与基极之间隔离的膜层结构；其特征在于，所述硅锗异质结双极晶体管发射极与基极之间为复合膜层结构，自下而上分别为：二氧化硅、多晶硅与氮化硅。
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