[发明专利]被处理体的处理方法

摘要

本发明提供能够更强地抑制光致抗蚀剂层的高度的减小的被处理体的处理方法。被处理体W具备有机膜和形成在该有机膜上的光致抗蚀剂层，使用含氢的处理气体作为处理气体，一面对第一电极(5)施加直流负电压，一面使用光致抗蚀剂层作为掩膜，利用含氢的等离子体对有机膜进行蚀刻。

主权项

1.一种被处理体的处理方法，在处理容器内相对地配置有第一电极和支承被处理体的第二电极，向所述处理容器内供给处理气体，在所述第一电极与所述第二电极之间施加有高频电力，并在所述第一电极与所述第二电极之间生成所述处理气体的等离子体，对由所述第二电极支承的所述被处理体实施等离子体处理，该被处理体的处理方法的特征在于：所述被处理体具备含硅膜、形成在所述含硅膜上的有机膜和形成在所述有机膜上的光致抗蚀剂层，该被处理体的处理方法包括：第一工序，使用含有氢的处理气体作为所述处理气体，边对所述第一电极施加第一直流负电压，边使用所述光致抗蚀剂层作为掩膜，利用含有氢的等离子体对所述有机膜进行蚀刻，在该蚀刻途中，一边使所述光致抗蚀剂层硬化一边进行蚀刻；第二工序，在所述第一工序之后，边对所述第一电极施加第二直流负电压，边利用含有氢、碳、氟和氩的等离子体，使在所述第一工序中硬化的所述光致抗蚀剂层进一步硬化；和第三工序，在所述第二工序之后，使用在所述第二工序中进一步被硬化的所述光致抗蚀剂层作为掩膜，对所述有机膜下的所述含硅膜进行蚀刻，在同一处理容器内连续进行所述第一工序、所述第二工序和所述第三工序，所述第一电极由含有硅的材料构成。