[发明专利]荧光物质、制造荧光物质的方法、发光器件及发光模块有效
申请号: | 201010277528.5 | 申请日: | 2010-09-07 |
公开(公告)号: | CN102191058A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
发明(设计)人: | 岡田葵;福田由美;佐藤高洋;三石巌;松田直寿;平松亮介;石田邦夫 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | C09K11/80 | 分类号: | C09K11/80;C09K11/64;H01L33/50 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 杨晓光;于静 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种荧光物质、制造荧光物质的方法、发光器件及发光模块。实施例提供了一种制造氧氮化物荧光物质的方法。在所述方法中将包含In或Ga的化合物用作所述方法的材料。可以使通过所述方法制造的红色荧光物质与半导体发光元件相组合,以便在发光器件或发光模块中使用。 | ||
搜索关键词: | 荧光 物质 制造 方法 发光 器件 模块 | ||
【主权项】:
一种制造荧光物质的方法,所述荧光物质在波长范围为250到500nm的光的激励下发射峰值在570到650nm的波长范围内的光,所述方法包括以下步骤:混合以下项:包含从包括四价金属元素的组中选择的金属元素M1的化合物,包含从包括除In(III)和Ga(III)以外的三价金属元素的组中选择的金属元素M2的化合物,包含从包括除M1、M2、In(III)和Ga(III)以外的金属元素的组中选择的金属元素M的化合物,包含除任一上述金属元素以外的发光中心元素EC的化合物,以及包含从包括In(III)和Ga(III)的组中选择的金属元素L的化合物,以便制备材料混合物,以及烧成所述材料混合物。
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