[发明专利]荧光物质、制造荧光物质的方法、发光器件及发光模块有效
申请号: | 201010277528.5 | 申请日: | 2010-09-07 |
公开(公告)号: | CN102191058A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
发明(设计)人: | 岡田葵;福田由美;佐藤高洋;三石巌;松田直寿;平松亮介;石田邦夫 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | C09K11/80 | 分类号: | C09K11/80;C09K11/64;H01L33/50 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 杨晓光;于静 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 荧光 物质 制造 方法 发光 器件 模块 | ||
1.一种制造荧光物质的方法,所述荧光物质在波长范围为250到500nm的光的激励下发射峰值在570到650nm的波长范围内的光,所述方法包括以下步骤:
混合以下项:
包含从包括四价金属元素的组中选择的金属元素M1的化合物,
包含从包括除In(III)和Ga(III)以外的三价金属元素的组中选择的金属元素M2的化合物,
包含从包括除M1、M2、In(III)和Ga(III)以外的金属元素的组中选择的金属元素M的化合物,
包含除任一上述金属元素以外的发光中心元素EC的化合物,以及
包含从包括In(III)和Ga(III)的组中选择的金属元素L的化合物,
以便制备材料混合物,以及
烧成所述材料混合物。
2.根据权利要求1的方法,其中所述金属元素M1、M2和M分别为Si、Al和Sr。
3.根据权利要求1的方法,其中所述包含金属元素L的化合物是氧化物或氮化物。
4.一种荧光物质,所述荧光物质在波长范围为250到500nm的光的激励下发射峰值在570到650nm的波长范围内的光并且所述荧光物质通过以下操作获得:
混合以下项:
包含从包括四价金属元素的组中选择的金属元素M1的化合物,
包含从包括除In(III)和Ga(III)以外的三价金属元素的组中选择的金属元素M2的化合物,
包含从包括除M1、M2、In(III)和Ga(III)以外的金属元素的组中选择的金属元素M的化合物,
包含除任一上述金属元素以外的发光中心元素EC的化合物,以及
包含从包括In(III)和Ga(III)的组中选择的金属元素L的化合物,
以便制备材料混合物,以及
烧成所述材料混合物。
5.一种发光器件,包括:
发光元件(S1),其发出波长范围为250到500nm的光;
荧光物质(R),其在所述发光元件(S1)发出的光的激励下发射峰值在570到650nm的波长范围内的光并且所述荧光物质(R)通过以下操作获得:
混合以下项:
包含从包括四价金属元素的组中选择的金属元素M1的化合物,
包含从包括除In(III)和Ga(III)以外的三价金属元素的组中选择的金属元素M2的化合物,
包含从包括除M1、M2、In(III)和Ga(III)以外的金属元素的组中选择的金属元素M的化合物,
包含除任一上述金属元素以外的发光中心元素EC的化合物,以及
包含从包括In(III)和Ga(III)的组中选择的金属元素L的化合物,
以便制备材料混合物,以及
烧成所述材料混合物;以及
另一荧光物质(G),其在所述发光元件(S1)发出的光的激励下发射峰值在430到580nm的波长范围内的光。
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