[发明专利]荧光物质、制造荧光物质的方法、发光器件及发光模块

说明书

相关申请的交叉引用

本申请基于2010年3月9日提交的在先日本专利申请第2010-51630号并要求其优先权；所述申请的全部内容在此引入作为参考。

技术领域

本发明涉及荧光物质、制造所述荧光物质的方法、发光器件及发光模块

背景技术

利用发光二极管的LED灯被用在诸如移动设备、PC外围设备、OA设备、各种开关、背光光源以及指示板之类的装置的许多显示元件中。非常需要LED灯不仅是因为它们具有高效率，而且因为它们在用于一般照明时具有优异的颜色再现，或在用于背光时可提供宽广的色域。为了满足这些要求，有必要改进在LED的发光部件中使用的荧光物质。例如，为了提高灯的效率，有必要在LED中采用非常高效的荧光物质。进而，为了改进颜色再现和拓宽灯的色域，希望改进荧光物质发射的光(luminescence)的色度。

另一方面，高负荷的LED在工作时通常会变得如此之热，以致其中使用的荧光物质被加热到约100-200℃的温度。当这样加热荧光物质时，它们的发光强度通常将降低。因此，希望即使在加热荧光物质的情况下也不会过多降低发光强度。换言之，希望较少引起温度猝灭。

作为在温度猝灭方面改进的荧光物质，存在公知的红色SiAlON荧光体，其主要包括硅和铝(WO2007/105631)。这些荧光体例如由公式(Sr_1-xEu_x)_aSi_bAl_cO_dN_e表示，与诸如Sr₂Si₅N₈∶Eu和CaS∶Eu之类的常规荧光体相比，它们在温度猝灭方面具有改进。

发明内容

本发明的一个方面涉及一种制造荧光物质的方法，所述荧光物质在波长范围为250-500纳米的光的激励下发射峰值在570-650纳米的波长范围内的光，所述方法包括以下步骤：

混合以下项：

包含从包括四价金属元素的组中选择的金属元素M¹的化合物，

包含从包括除In(III)和Ga(III)以外的三价金属元素的组中选择的金属元素M²的化合物，

包含从包括除M¹、M²、In(III)和Ga(III)以外的金属元素的组中选择的金属元素M的化合物，

包含除任一上述金属元素以外的发光中心元素EC的化合物，以及

包含从包括In(III)和Ga(III)的组中选择的金属元素L的化合物，

以便制备材料混合物，以及

烧成所述材料混合物。

本发明的另一方面涉及一种第一荧光物质，所述荧光物质在波长范围为250-500纳米的光的激励下发射峰值在570-650纳米的波长范围内的光并且所述荧光物质通过以下操作获得：

混合以下项：

包含从包括四价金属元素的组中选择的金属元素M¹的化合物，

包含从包括除In(III)和Ga(III)以外的三价金属元素的组中选择的金属元素M²的化合物，

包含从包括除M¹、M²、In(III)和Ga(III)以外的金属元素的组中选择的金属元素M的化合物，

包含除任一上述金属元素以外的发光中心元素EC的化合物，以及

包含从包括In(III)和Ga(III)的组中选择的金属元素L的化合物，

以便制备材料混合物，以及

烧成所述材料混合物。

本发明的再一方面涉及一种第二荧光物质，

其由以下公式(I)表示：

(M_1-xEC_x)_aM¹_bM²L_cO_dN_e    (I)