[发明专利]高性能场效应晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201010268632.8 | 申请日： | 2010-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN101937931A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 梁仁荣;王敬;许军 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种高性能场效应晶体管，包括：衬底；位于所述衬底之上的栅堆叠；位于所述栅堆叠两侧及所述衬底之中的源极/漏极区；和位于所述源极/漏极区与所述衬底之间的含碳薄层。本发明通过含碳薄层，例如Si:C薄层或SiGe:C薄层，可以有效地抑制源极/漏极区中杂质向沟道及衬底的扩散，从而改善器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 性能 场效应 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种高性能场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底之上的栅堆叠；位于所述栅堆叠两侧及所述衬底之中的源极/漏极区；和位于所述源极/漏极区与所述衬底之间的含碳薄层。
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