[发明专利]一种低品位萤石的提纯工艺有效
申请号: | 201010267205.8 | 申请日: | 2010-08-31 |
公开(公告)号: | CN101913641A | 公开(公告)日: | 2010-12-15 |
发明(设计)人: | 刘东晓;廖志辉;梁雅娟;段立山 | 申请(专利权)人: | 湖南有色氟化学科技发展有限公司 |
主分类号: | C01F11/22 | 分类号: | C01F11/22 |
代理公司: | 长沙星耀专利事务所 43205 | 代理人: | 宁星耀 |
地址: | 410012 *** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 一种低品位萤石的提纯工艺,其包括以下步骤:(1)在反应器中加入计量的水和萤石,水和萤石质量比0.5~6.0:1,制成料浆;(2)在搅拌下向料浆中加入计量的硫酸,加入的硫酸与原料萤石中的二氧化硅的摩尔比为,H2SO4:SiO2=3~9:1,升温至70℃~100℃,搅拌反应40~180min;(3)反应完毕,将物料真空过滤或离心分离,得固体物料,干燥,即成。使用本发明对低品位萤石进行提纯处理,工艺简单,能耗低,回收率可达96%以上,不仅能大幅降低萤石中的二氧化硅含量,还能有效降低碳酸钙、磷等其它杂质含量,处理成本低。 | ||
搜索关键词: | 一种 品位 萤石 提纯 工艺 | ||
【主权项】:
一种低品位萤石的提纯工艺,其特征在于:包括以下步骤:(1)在反应器中加入计量的水和萤石,水和萤石质量比0.5~6.0:1,制成料浆;(2)在搅拌下向料浆中加入计量的硫酸,加入的硫酸与原料萤石中的二氧化硅的摩尔比为H2SO4:SiO2=3~9:1,升温至70℃~100℃,搅拌反应40~180min;(3)反应完毕,将物料真空过滤或离心分离,得固体物料,干燥,即成。
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