[发明专利]一种低品位萤石的提纯工艺有效
| 申请号： | 201010267205.8 | 申请日： | 2010-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN101913641A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 刘东晓;廖志辉;梁雅娟;段立山 | 申请（专利权）人： | 湖南有色氟化学科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C01F11/22 | 分类号： | C01F11/22 |
| 代理公司： | 长沙星耀专利事务所 43205 | 代理人： | 宁星耀 |
| 地址： | 410012 *** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 品位 萤石 提纯 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种低品位萤石的提纯工艺，其特征在于：包括以下步骤：（1）在反应器中加入计量的水和萤石，水和萤石质量比0.5～6.0:1，制成料浆；（2）在搅拌下向料浆中加入计量的硫酸，加入的硫酸与原料萤石中的二氧化硅的摩尔比为H2SO4:SiO2=3～9:1，升温至70℃～100℃，搅拌反应40～180min；（3）反应完毕，将物料真空过滤或离心分离，得固体物料，干燥，即成。
2.根据权利要求1所述的低品位萤石的提纯工艺，其特征在于，水和萤石质量比2.0～4.0:1。
3.根据权利要求1或2所述的低品位萤石的提纯工艺，其特征在于，加入的硫酸与原料萤石中的二氧化硅的摩尔比为H2SO4:SiO2=5～7:1。
4.根据权利要求1或2所述的低品位萤石的提纯工艺，其特征在于,硫酸与萤石的反应温度为85℃～95℃。
5.根据权利要求3所述的低品位萤石的提纯工艺，其特征在于，硫酸与萤石的反应温度为85℃～95℃。
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