[发明专利]增加GIA驱动下像素电极充电时间的方法无效

专利信息
申请号: 201010266661.0 申请日: 2010-08-30
公开(公告)号: CN101901586A 公开(公告)日: 2010-12-01
发明(设计)人: 周刘飞 申请(专利权)人: 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司
主分类号: G09G3/36 分类号: G09G3/36
代理公司: 南京天华专利代理有限责任公司 32218 代理人: 夏平;瞿网兰
地址: 210028 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 在传统TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器)系统驱动中,通常会设置OE(Outputenable输出使能)信号以解决gateRCdelay(栅极信号电阻电容延迟)造成的datalatchingerror(数据闭锁错误)的问题,OE时间大小一般接近于gatelineRCdelay(栅极走线信号电阻电容延迟),因此势必减少像素电极的充电时间,这种现象随着刷新频率及gatelineRCdelay的增大,更为明显。本发明仅需在玻璃阵列电路中增加1或2条dummygate(虚拟栅极)走线,即可省去OE时间,从而保证像素电极足够的充电时间,且不受array制程的影响(metalthickness金属厚度,CD线宽,sheet-resistance片电阻等)。此外,本发明在交错型GIA电路中的应用将尤为重要。
搜索关键词: 增加 gia 驱动 像素 电极 充电 时间 方法
【主权项】:
一种增加GIA驱动下像素电极充电时间的方法,其特征是:首先,在阵列(array)电路中至少增加一条虚拟栅极(dummy gate)走线,且在施加栅极脉冲时首先打开虚拟栅极(dummy gate)走线的栅极脉冲,然后从第一根栅极走线开始依次打开阵列电路上的所有栅极走线;其次,增加一侦测电路,该侦测电路用于侦测虚拟栅极从左向右或从右向左的栅极信号电阻电容延迟(gate RC delay)值;最后,由定时器(Tcon)根据侦测电路的测定值确定数据缓冲输出(data buffer dump)的时刻,即可达到省去输出使能(OE)时间,使GIA驱动下gate打开时间全部用于像素电极的充电,提高显示效果。
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