[发明专利]基于喷墨印刷与激光干涉曝光的电极制备方法无效
| 申请号： | 201010264110.0 | 申请日： | 2010-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN101969026A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 崔晴宇;郭小军;叶志成;李争光 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体技术领域的基于喷墨印刷与激光干涉曝光的电极制备方法，首先在衬底材料上沉积导电材料制成导电层，然后在导电层上旋涂光刻胶并进行三次激光干涉曝光，经显影后刻蚀导电材料并去除未曝光光刻胶，最后用印刷技术打印导电材料将源与漏极各自的互联区域进行电学连接。本发明可以使薄膜晶体管的沟道长度达到亚微米甚至是深亚微米级别，实现步骤简单，能一次实现较大面积的高精度电极。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 喷墨 印刷 激光 干涉 曝光 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于喷墨印刷与激光干涉曝光的电极制备方法，其特征在于，首先在衬底材料上沉积导电材料制成导电层，然后在导电层上旋涂光刻胶并进行三次激光干涉曝光，经显影后刻蚀导电材料并去除未曝光光刻胶，最后用印刷技术打印导电材料将源与漏极各自的互联区域进行电学连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
