[发明专利]基于喷墨印刷与激光干涉曝光的电极制备方法

权利要求书

1.一种基于喷墨印刷与激光干涉曝光的电极制备方法，其特征在于，首先在衬底材料上沉积导电材料制成导电层，然后在导电层上旋涂光刻胶并进行三次激光干涉曝光，经显影后刻蚀导电材料并去除未曝光光刻胶，最后用印刷技术打印导电材料将源与漏极各自的互联区域进行电学连接。

2.根据权利要求1所述的基于喷墨印刷与激光干涉曝光的电极制备方法，其特征是，所述的衬底为玻璃、PET膜、PI膜、PEN膜、PC膜或PES膜。

3.根据权利要求1所述的基于喷墨印刷与激光干涉曝光的电极制备方法，其特征是，所述的导电材料为金属、金属化合物或有机导电材料。

4.根据权利要求1所述的基于喷墨印刷与激光干涉曝光的电极制备方法，其特征是，所述的三次激光干涉曝光是指：采用两种不同波长的激光进行三次干涉曝光，其中第二次干涉曝光和第三次干涉曝光的波长为第一次干涉曝光的一半，第一次干涉曝光制成图形化叉指状的源与漏极的作用区域，第二次和第三次干涉曝光实现叉指状源与漏极各自的互联区域。

5.根据权利要求1或4所述的基于喷墨印刷与激光干涉曝光的电极制备方法，其特征是，所述的三次激光干涉曝光是指：

步骤一、在室温环境下利用遮罩待制备电极的遮蔽非沟道区域，进行第一次激光干涉曝光；

步骤二、对源极的互联区域进行第二次激光干涉曝光；

步骤三、对漏极的互联区域进行第三次激光干涉曝光，其相位与第二次激光干涉曝光的相位相差180度。

6.根据权利要求4所述的基于喷墨印刷与激光干涉曝光的电极制备方法，其特征是，所述的作用区域的线宽为50nm-500nm。

7.根据权利要求4所述的基于喷墨印刷与激光干涉曝光的电极制备方法，其特征是，所述的互联区域的线宽为100nm-1000nm。

8.根据权利要求1所述的基于喷墨印刷与激光干涉曝光的电极制备方法，其特征是，所述的用印刷技术打印导电材料是指：采用颗粒直径不大于150nm的金属纳米颗粒溶液、颗粒直径不大于150nm的金属化合物导电材料或者是隔绝水氧的有机导电材料进行打印。