[发明专利]一种垂直结构AlGaInP发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201010258130.7 | 申请日： | 2010-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN101937960A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 吴厚润;邓有财;邹博闳;郑香平;吴志强 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46 |
| 代理公司： | 厦门原创专利事务所 35101 | 代理人： | 徐东峰 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种垂直结构AlGaInP发光二极管及其制造方法，在临时衬底上依次外延生长由缓冲层、n型接触层、n型粗化层、限制层、有源层、p型限制层、p型窗口层叠层构成可粗化外延片；在p型窗口层上制作周期性透明导电膜，在此膜上开窗形成规则性通孔，最后通孔填入导电材料；全反射金属层形成于透明导电膜上并填满规则性通孔；将永久衬底与外延片通过粘结层粘合，并使全反射金属层和粘结层接触；去除临时衬底和缓冲层，在暴露的n型接触层之上制作n扩展电极；去除n型接触层后形成焊盘于n型粗化层上；在永久衬底背面制作p电极；利用折射率差异较大所组成的周期性透明多层膜比一般单层或非周期的透光膜所组成的高反射率反射镜，提高取光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 结构 algainp 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直结构AlGaInP发光二极管，包含：一永久衬底；一金属粘结层形成于永久衬底之上；二个周期或两个以上周期的透明导电膜形成于倒装AlGaInP 上的高浓度p型窗口层上，透明导电膜由透明导电层和透明介电层层叠构成；一全反射金属层形成于周期性透明导电膜上并将规则性通孔填满；一n型扩展电极形成欧姆接触于倒装AlGaInP 的n型接触层上；一n焊盘形成于n型粗化层上。
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