[发明专利]半导体器件及半导体器件制造方法无效
| 申请号： | 201010255309.7 | 申请日： | 2010-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN101997032A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 菊池善明;若林整 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体基板，在该半导体基板中，在沟道形成区域中埋置有沿沟道方向具有第一宽度的SiGe层；栅极绝缘膜，它形成在所述沟道形成区域上；栅极电极，它形成在所述栅极绝缘膜上并具有从所述SiGe层的形成区域伸出的区域，该栅极电极具有比所述第一宽度宽的第二宽度；以及源极/漏极区域，它们具有形成在夹着所述沟道形成区域的所述半导体基板上的延伸区域，由此形成了场效应晶体管，其中所述延伸区域与所述SiGe层是分离的，使得从所述延伸区域与所述半导体基板之间的接合面延伸的耗尽层不会到达所述SiGe层。本发明在抑制了接合部泄漏的同时，能够实现载流子迁移率的提高以及沟道中载流子速度的增大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其包括：半导体基板，在该半导体基板中，在沟道形成区域中埋置有沿沟道方向具有第一宽度的SiGe层；栅极绝缘膜，它形成在所述沟道形成区域上；栅极电极，它形成在所述栅极绝缘膜上并具有从所述SiGe层的形成区域伸出的区域，所述栅极电极具有比所述第一宽度宽的第二宽度；以及源极/漏极区域，它们具有形成在夹着所述沟道形成区域的所述半导体基板上的延伸区域；由此形成了场效应晶体管，其中，所述延伸区域与所述SiGe层是分离的，使得从所述延伸区域与所述半导体基板之间的接合面延伸的耗尽层不会到达所述SiGe层。
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