[发明专利]一种全湿刻蚀后去胶的方法无效
| 申请号： | 201010251833.7 | 申请日： | 2010-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN101968610A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 曹歆;郑如定;张建宝;周武;刘榕 | 申请（专利权）人： | 武汉华灿光电有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;H01L33/00 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 胡里程 |
| 地址： | 430223 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开一种全湿刻蚀后去胶的方法，属于LED制程工艺中GaN刻蚀后去胶，包括溶液配制和使用方法。采用碱性溶液，添加适量的双氧水，放入晶片，浸泡一段时间后，取出冲水后甩干，其晶片表面的光刻胶即被去除干净。本发明适合任何不与碱性溶液发生反应的衬底的光刻胶的去除，利用双氧水的强氧化性，可将光刻胶在溶液中有效的进行去除，此方法操作简单方便，流程极其简单，适合于大规模生产中光刻胶的去除，并且成本极低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 后去胶 方法 | ||
【主权项】：
一种全湿刻蚀后去胶的方法，其步骤为：配制碱性溶液，将碱与水混合成均匀的碱性溶液；使用前加入双氧水；放入晶片，浸泡后取出冲水并甩干。
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