[发明专利]一种全湿刻蚀后去胶的方法无效
| 申请号： | 201010251833.7 | 申请日： | 2010-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN101968610A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 曹歆;郑如定;张建宝;周武;刘榕 | 申请（专利权）人： | 武汉华灿光电有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;H01L33/00 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 胡里程 |
| 地址： | 430223 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 后去胶 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种全湿刻蚀后去胶的方法，其步骤为：配制碱性溶液，将碱与水混合成均匀的碱性溶液；使用前加入双氧水；放入晶片，浸泡后取出冲水并甩干。
2.根据权利要求1所述一种全湿刻蚀后去胶的方法，其特征在于：碱性溶液的浓度为20％-50％。
3.根据权利要求1所述一种全湿刻蚀后去胶的方法，其特征在于：双氧水的添加量为碱性溶液体积的1％-10％。
4.根据权利要求1、2或3所述一种全湿刻蚀后去胶的方法，其特征在于：碱性溶液采用KOH溶液。
5.根据权利要求1所述一种全湿刻蚀后去胶的方法，其特征在于：浸泡时间为5-20分钟。
6.根据权利要求1所述一种全湿刻蚀后去胶的方法，其特征在于：全湿刻蚀后去胶是在20℃-80℃下完成的。
7.据权利要求1所述一种全湿刻蚀后去胶的方法，其特征在于：配制碱性溶液及冲水甩干过程中使用的水为去离子水，甩干过程中使用的气体为N2。
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