[发明专利]一种全湿刻蚀后去胶的方法

说明书

技术领域

本发明涉及光刻胶去除技术，LED行业的GaN刻蚀后去胶技术，尤其是一种全湿刻蚀后去胶的方法。

背景技术

LED行业是当今高新技术中领域中非常重要的微电子领域之一，而LED制程中需要利用刻蚀技术将部分区域P型氮化镓(GaN)层去除，暴露出N型氮化镓(GaN)层，而作为刻蚀过程中掩膜的光刻胶在刻蚀后的去除中成为比较大的难题，原因在于光刻胶在经过刻蚀后变得比较坚硬，使得用普通的去胶液均难以完全保证将其去除干净，若用干法去胶会对晶片表面的氧化铟锡(ITO)薄膜产生损伤，因此最好选用全湿法去除光刻胶。

去除光刻胶的方法有很多种，常规的湿法去胶有：1、有机溶液去胶(如丙酮或N甲基砒咯烷酮(NMP)等)，实践证明仅用纯的有机溶液无法保证生产过程中刻蚀后去胶的效果，总会有一定比例的残胶产生；2、硫酸+双氧水，此方法可以去除裸片上的光刻胶，但对于已沉积氧化铟锡薄膜的晶片则不可用酸性溶液，否则会与氧化铟锡发生反应；3、碱性溶液去胶，如显影液及其他各种碱性溶液，均对经刻蚀后的光刻胶去除效果不佳，会有部分残留，影响后续制程。

发明内容

本发明的目的在于提供一种简单、快速的将经刻蚀后的光刻胶去除的方法，该方法利用碱性溶液与双氧水的混合溶液对经刻蚀后的光刻胶去除效果良好。

本发明的技术方案为：一种全湿刻蚀后去胶的方法，其步骤为：配制碱性溶液，将碱与水混合成浓度20％-50％的碱性溶液；使用前加入1％-10％碱性溶液体积的双氧水；放入晶片，浸泡时间5-20分钟；浸泡后取出冲水并甩干。碱性溶液采用KOH溶液。全湿刻蚀后去胶是在20℃-80℃下完成的。配制碱性溶液及冲水甩干过程中使用的水为去离子水，甩干过程中使用的气体为氮(N₂)。

本发明的优点在于：本发明适合任何不与碱性溶液发生反应的衬底的光刻胶的去除，利用双氧水的强氧化性，可将光刻胶在溶液中有效的进行去除，此方法操作简单方便，流程极其简单，适合于大规模生产中光刻胶的去除，并且成本极低。

具体实施方式

实例1：一种全湿刻蚀后去胶的方法，包括以下步骤：步骤101：配制KOH溶液，将片状KOH与水以20％比例混合成碱性溶液。步骤102：对步骤101中所配的溶液中加入5％溶液量的双氧水。步骤103：在步骤102所形成的溶液中放入晶片，浸泡5-10分钟即取出冲水并甩干。

实例2：片状KOH与水以35％比例混合成碱性溶液、双氧水为7.5％的溶液量，其它步骤与实例1相同。

实例3：片状KOH与水以50％比例混合成碱性溶液、双氧水为10％的溶液量，其它步骤与实例1相同。

需要说明的是步骤101中的KOH溶液可以替换为任何比例或任何种类的碱性溶液，步骤102中的双氧水可根据实际情况调整添加比例，步骤103中的浸泡时间可根据实际情况进行调节，能去除干净光刻胶即可。

本领域技术人员应当理解，本发明中所述的KOH、双氧水及光刻胶可选用现有市售的任意一款。

本发明利用碱性溶液与双氧水形成的混合溶液对经刻蚀后的光刻胶进行了有效的去除，并且操作方便，成本低廉，适用于任何耐碱性溶液的衬底。以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。