[发明专利]半导体器件及半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 201010250777.5 | 申请日： | 2010-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN101996874A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 黛哲 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/41;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体器件及其制造方法，所述制造方法包括以下步骤：(a)在基板上形成栅极电极、在所述基板中形成源极/漏极区域及沟道形成区域、以及在所述源极/漏极区域上形成顶面高度与所述栅极电极的顶面高度相等的第一层间绝缘层；之后，(b)在所述第一层间绝缘层中形成凹槽形状的第一接触部，所述第一接触部连接至所述源极/漏极区域；之后，(c)在整个表面上形成第二层间绝缘层；之后，(d)在所述第二层间绝缘层的位于所述第一接触部上的各部分中形成孔形状的第二接触部；并且之后，(e)在所述第二层间绝缘层上形成布线，各所述布线分别连接至各所述第二接触部。本发明适合于微细化工艺，并允许进行更自由的布线设计。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制造方法，所述方法包括以下步骤：步骤a，在基板上形成栅极电极、在所述基板中形成源极/漏极区域及沟道形成区域、以及在所述源极/漏极区域上形成顶面高度与所述栅极电极的顶面高度相等的第一层间绝缘层；之后，步骤b，在所述第一层间绝缘层中形成凹槽形状的第一接触部，所述第一接触部连接至所述源极/漏极区域；之后，步骤c，在整个表面上形成第二层间绝缘层；之后，步骤d，在所述第二层间绝缘层的位于所述第一接触部上的各部分中形成孔形状的第二接触部；并且之后，步骤e，在所述第二层间绝缘层上形成布线，各所述布线分别连接至各所述第二接触部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
