[发明专利]发光元件的制造方法无效
| 申请号： | 201010249194.0 | 申请日： | 2010-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN102376863A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 陈柏源;翁弘昌;刘如熹;纪喨胜 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光元件的制造方法，包含：提供基板，形成半导体叠层于基板上方，所述半导体叠层包含第一导电型半导体层、第二导电型半导体层与位于第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的活性层，形成预覆层于第一导电型半导体层与第二导电型半导体层中至少之一的上方，以及将预覆层的至少一部分置入电镀浴中，电镀浴中包含有金属离子，金属离子在无外加电压下会还原沉积于预覆层之上并形成金属层，其中电镀浴包含稳定剂，其材料为铜铁灵、C7H5NS2或C7H5N2S。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光元件的制造方法，包含：提供基板；形成半导体叠层于该基板上方，该半导体叠层包含第一导电型半导体层、第二导电型半导体层及位于该第一导电型半导体层与该第二导电型半导体层之间的活性层；形成预覆层于该第一导电型半导体层与该第二导电型半导体层中至少之一的上方；以及将该预覆层的至少一部分置入电镀浴中，该电镀浴中包含有金属离子，该金属离子在无外加电压下会还原沉积于该预覆层之上并形成金属层，其中该电镀浴包含稳定剂，其材料为铜铁灵、MBT或MBI。
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