[发明专利]形成QFN集成电路封装的可焊接侧表面端子的方法有效
| 申请号： | 201010248616.2 | 申请日： | 2010-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN102024721A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 肯尼思·J·许宁 | 申请（专利权）人： | 美士美积体产品公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 孟锐 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示一种形成集成电路(IC)封装的方法，其包含：(a)从所述IC封装的端子的侧表面移除氧化物；(b)大致覆盖所述IC封装的所述端子的底侧；以及(c)在覆盖所述IC封装的所述端子的所述底侧的同时，在所述IC封装的端子的所述侧表面上形成焊料涂层。所述端子的所述侧表面上的所述焊料涂层保护所述端子免受因老化和后续过程所致的氧化。另外，所述端子的所述侧表面上的所述焊料涂层大致改善所述IC封装到印刷电路板(PCB)或其它安装件的可焊接性。此进一步促进使用较不昂贵且较不复杂的方法对焊料附接的检验。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 qfn 集成电路 封装 焊接 表面 端子 方法 | ||
【主权项】：
一种形成集成电路(IC)封装的方法，其包含：a)从所述IC封装的端子的侧表面移除氧化物；b)大致覆盖所述IC封装的所述端子的底侧；以及c)在覆盖所述IC封装的所述端子的所述底侧的同时，在所述IC封装的所述端子的所述侧表面上形成焊料涂层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美士美积体产品公司，未经美士美积体产品公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010248616.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：轮对动平衡试验机车轴连接器
- 下一篇：磁记录介质的制造方法和制造装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
