[发明专利]多结太阳电池隧道结的制备方法

摘要

本发明公开了一种多结太阳电池隧道结的制备方法，隧道结结构为n+GaAs/n++GaAs/p++GaAs/p+GaAs四层结构，底层为n型缓冲层、中间为GaAs隧道结、顶层p型缓冲层，该方法具有以下工艺步骤：在衬底电池上外延生长n型GaAs过渡层；在过渡层上生长GaAs隧道结；在GaAs隧道结的p型面上外延生长p型GaAs过渡层；获得太阳电池隧道结。

主权项

一种多结太阳电池隧道结的制备方法，其特征在于：所述隧道结结构为n+GaAs/n++GaAs/p++GaAs/p+GaAs四层结构，底层为n型缓冲层、中间为GaAs隧道结、顶层为p型缓冲层，该方法具有以下工艺步骤a、首先在衬底电池上MBE外延生长n型重掺杂GaAs过渡层即n+GaAs层；b、在n+GaAs层上MBE外延生长GaAs隧道结的n型重掺杂层即n++GaAs层；c、在GaAs隧道结n++GaAs层上MBE外延生长GaAs隧道结p型重掺杂层即p++GaAs层；d、在p++GaAs层上MBE外延生长p型重掺杂GaAs过渡层即p+GaAs层；e、获得隧道结。