[发明专利]一种具有旁路二极管的晶体硅太阳电池的制备方法有效

专利信息
申请号: 201010246872.8 申请日: 2010-08-05
公开(公告)号: CN101950772A 公开(公告)日: 2011-01-19
发明(设计)人: 沈辉;陈开汉 申请(专利权)人: 中山大学
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 广州知友专利商标代理有限公司 44104 代理人: 李海波
地址: 510275 *** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种具有旁路二极管的晶体硅太阳电池的制备方法,利用设计好的丝网印刷网版,在晶体硅太阳电池的局部区域印刷浆料,经烧结后在晶体硅片局部区域形成p-n结方向与主体太阳电池p-n结方向相反的旁路二极管,再利用激光刻槽工艺将所述的旁路二极管与主体太阳电池隔离开,制得具有旁路二极管的晶体硅太阳电池。本发明利用丝网印刷与激光隔离工艺,可以在晶体硅太阳电池的局部区域形成一个旁路二极管,经测试旁路二极管单向导电性能显著,该方法制备的太阳电池便于封装,通过互连条连接成组件后,组件中每一片太阳电池都并联有一个旁路二极管,当单个太阳电池被遮挡或者出现故障时将被二极管旁路,减少组件输出功率的损失,保证组件工作的稳定性。
搜索关键词: 一种 具有 旁路 二极管 晶体 太阳电池 制备 方法
【主权项】:
一种具有旁路二极管的晶体硅太阳电池的制备方法,其特征在于:利用设计好的丝网印刷网版,在晶体硅太阳电池的局部区域印刷浆料,经烧结后在晶体硅片局部区域形成p‑n结方向与主体太阳电池p‑n结方向相反的旁路二极管,再利用激光刻槽工艺将所述的旁路二极管与主体太阳电池隔离开,制得具有旁路二极管的晶体硅太阳电池。
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