[发明专利]运算放大器和使用运算放大器的半导体器件无效

专利信息
申请号: 201010243671.2 申请日: 2010-08-02
公开(公告)号: CN101989842A 公开(公告)日: 2011-03-23
发明(设计)人: 西村浩一;岛谷淳;大塚博通 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H03F3/45 分类号: H03F3/45;G09G3/20;G09G3/36
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 孙志湧;穆德骏
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种运算放大器和使用运算放大器的半导体器件。该运算放大器提供有:第一MOS晶体管对,所述第一MOS晶体管对被连接至非反相输入端子和反相输入端子;中间级,所述中间级被连接至第一MOS晶体管对;第一输出晶体管,所述第一输出晶体管具有与输出端子相连接的漏极;以及第一源极跟随器。第一源极跟随器被插入在第一输出晶体管的栅极与中间级的第一输出节点之间。
搜索关键词: 运算放大器 使用 半导体器件
【主权项】:
一种运算放大器,包括:第一MOS晶体管对,所述第一MOS晶体管对被连接至非反相输入端子和反相输入端子;中间级,所述中间级被连接至所述第一MOS晶体管对;第一输出晶体管,所述第一输出晶体管具有与输出端子相连接的漏极;以及第一源极跟随器,所述第一源极跟随器被插入在所述第一输出晶体管的栅极与所述中间级的第一输出节点之间。
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