[发明专利]运算放大器和使用运算放大器的半导体器件

权利要求书

1.一种运算放大器，包括：

第一MOS晶体管对，所述第一MOS晶体管对被连接至非反相输入端子和反相输入端子；

中间级，所述中间级被连接至所述第一MOS晶体管对；

第一输出晶体管，所述第一输出晶体管具有与输出端子相连接的漏极；以及

第一源极跟随器，所述第一源极跟随器被插入在所述第一输出晶体管的栅极与所述中间级的第一输出节点之间。

2.根据权利要求1所述的运算放大器，其中，所述第一MOS晶体管对由第一导电类型的MOS晶体管构成，

其中，所述第一输出晶体管是与所述第一导电类型相反的第二导电类型的MOS晶体管，

其中，所述中间级包括第一电流镜，所述第一电流镜被提供在电源线与所述第一输出节点之间并且被连接至所述第一MOS晶体管对，以及

其中，所述第一源极跟随器包括所述第一导电类型或所述第二导电类型的MOS晶体管，所述MOS晶体管具有与所述第一输出节点相连接的栅极和与所述第一输出晶体管的栅极和第一恒流源相连接的源极。

3.根据权利要求2所述的运算放大器，其中，所述第一源极跟随器的所述MOS晶体管的导电类型是所述第一导电类型。

4.根据权利要求3所述的运算放大器，进一步包括：

第二MOS晶体管对，所述第二MOS晶体管对被连接至所述非反相输入端子和所述反相输入端子；以及

第二输出晶体管，

其中，所述电源线是负电源线，

其中，所述第一MOS晶体管对是PMOS晶体管对，

其中，所述第二MOS晶体管对是NMOS晶体管对，

其中，所述第一输出晶体管是NMOS晶体管，所述NMOS晶体管具有与中间电源线相连接的源极和与所述输出端子相连接的漏极，所述中间电源线被馈送有低于正电源电压并且高于负电源电压的中间电源电压，

其中，所述第二输出晶体管是PMOS晶体管，所述PMOS晶体管具有与所述中间级的第二输出节点相连接的栅极和与正电源线相连接的源极，

其中，所述中间级进一步包括：

第二电流镜，所述第二电流镜被提供在所述正电源线与所述第二输出节点之间并且被连接至所述第二MOS晶体管对，所述第二电流镜由PMOS晶体管构成；以及

浮置电流源，所述浮置电流源被连接至所述第一输出节点与第二输出节点之间，

其中，所述第一源极跟随器的所述MOS晶体管是PMOS晶体管，所述PMOS晶体管具有与所述第一输出节点相连接的栅极以及与所述第一输出晶体管的栅极和第一恒流源相连接的源极。

5.根据权利要求3所述的运算放大器，进一步包括：

第二MOS晶体管对，所述第二MOS晶体管对被连接至所述非反相输入端子和所述反相输入端子；以及

第二输出晶体管，

其中，所述电源线是正电源线，

其中，所述第一MOS晶体管对是NMOS晶体管对，

其中，所述第二MOS晶体管对是PMOS晶体管对，

其中，所述第一输出晶体管是PMOS晶体管，所述PMOS晶体管具有与中间电源线相连接的源极和与所述输出端子相连接的漏极，所述中间电源线被馈送有低于正电源电压并且高于负电源电压的中间电源电压，

其中，所述第二输出晶体管是NMOS晶体管，所述NMOS晶体管具有与所述中间级的第二输出节点相连接的栅极和与负电源线相连接的源极，

其中，所述中间级进一步包括：

第二电流镜，所述第二电流镜被提供在所述负电源线与所述第二输出节点之间并且被连接至所述第二MOS晶体管对，所述第二电流镜由NMOS晶体管构成；以及

浮置电流源，所述浮置电流源被连接在所述第一输出节点与第二输出节点之间，

其中，所述第一源极跟随器的所述MOS晶体管是NMOS晶体管，所述NMOS晶体管具有与所述第一输出节点相连接的栅极以及与所述第一输出晶体管的栅极和第一恒流源相连接的源极。