[发明专利]运算放大器和使用运算放大器的半导体器件无效
申请号: | 201010243671.2 | 申请日: | 2010-08-02 |
公开(公告)号: | CN101989842A | 公开(公告)日: | 2011-03-23 |
发明(设计)人: | 西村浩一;岛谷淳;大塚博通 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45;G09G3/20;G09G3/36 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 孙志湧;穆德骏 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 运算放大器 使用 半导体器件 | ||
技术领域
本发明涉及一种运算放大器和使用运算放大器的半导体器件。
背景技术
运算放大器是在各种半导体集成电路中使用的典型的模拟电路之一。在从负电源电压VSS到正电源电压VDD的电压范围内能够进行操作的运算放大器电路被特别地称为轨对轨放大器。例如,由轨对轨放大器形成的电压跟随器被用作用于驱动液晶显示面板和其他显示面板的显示面板驱动器的输出级。
图1是示出在日本专利申请公布No.H06-326529(和相应的美国专利No.5,311,145)中公开的典型的轨对轨放大器的电路示意图。图1中所示的运算放大器在课本和著名文献中经常被描述为关于CMOS模拟电路技术的基准电路。
图1中的运算放大器能够被划分为输入级1、中间级2以及输出级3。输入级1包括PMOS晶体管MP1、MP2;NMOS晶体管MN1、MN2;以及恒流源I1和I2。中间级2包括电流镜2a、2b;浮置电流源2c;以及恒流源I3。电流镜2a是所谓的折叠级联型电流镜并且作为有源负载进行操作。电流镜2a包括PMOS晶体管MP3、MP4、MP5以及MP6。类似地,电流镜2b是折叠级联型电流镜并且作为有源负载进行操作。电流镜2b包括NMOS晶体管MN3、MN4、MN5以及MN6。浮置电流源2c包括PMOS晶体管MP7和NMOS晶体管MN7。输出级3包括PMOS晶体管MP8和NMOS晶体管MN8。相位补偿电容器C1、C2被连接在中间级2与输出级3之间。
NMOS晶体管MN1和MN2具有共同连接的源极并且形成N沟道差分对。恒流源I1被连接至N沟道差分对与负电源线之间。类似地,PMOS晶体管MP1和MP2具有共同连接的源极并且形成P沟道接收差分对。恒流源I2被连接在PMOS晶体管MP1、MP2的源极与正电源线之间。
PMOS晶体管MP1的栅极和NMOS晶体管MN1的栅极被连接至接收输入电压In-的反相输入端子4,而PMOS晶体管MP2的栅极和NMOS晶体管MN2的栅极被连接至接收输入电压In+的非反相输入端子5。PMOS晶体管MP1的漏极被连接至在中间级2中的NMOS晶体管MN3的漏极与NMOS晶体管MN5的源极之间的连接节点NC。PMOS晶体管MP2的漏极被连接至NMOS晶体管MN4的漏极与NMOS晶体管MN6的源极之间的连接节点ND。NMOS晶体管MN1的漏极被连接至PMOS晶体管MP3的漏极与PMOS晶体管MP5的源极之间的连接节点NA。NMOS晶体管MN2的漏极被连接至PMOS晶体管MP4的漏极与PMOS晶体管MP6的源极之间的连接节点NB。
PMOS晶体管MP3和MP4具有共同连接的源极和共同连接的栅极。PMOS晶体管MP3和MP4的共同连接的源极被连接至提供有正电源电压VDD的正电源线7。PMOS晶体管MP3的漏极被连接至节点NA并且PMOS晶体管MP4的漏极被连接至节点NB。
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