[发明专利]发光器件有效
| 申请号： | 201010242742.7 | 申请日： | 2010-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN101986439A | 公开（公告）日： | 2011-03-16 |
| 发明（设计）人： | 金炅俊;朴姝香 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/14 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 夏凯;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 根据实施例的发光器件包括：第一导电半导体层；有源层，所述有源层在所述第一导电半导体层下；第二导电半导体层，所述第二导电半导体层在所述有源层下；电流阻挡区，所述电流阻挡区在所述第二导电半导体层下；第二电极层，所述第二电极层在所述第二导电半导体层和所述电流阻挡区下；和第一电极层，所述第一电极层在所述第一导电半导体层上，包括布置的向着所述第一导电半导体层突起的突起。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：第一导电半导体层；有源层，所述有源层在所述第一导电半导体层下；第二导电半导体层，所述第二导电半导体层在所述有源层下；电流阻挡区，所述电流阻挡区在所述第二导电半导体层下；第二电极层，所述第二电极层在所述第二导电半导体层和所述电流阻挡区下；第一电极层，所述第一电极层在所述第一导电半导体层上，包括布置的向着所述第一导电半导体层突起的突起。
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