[发明专利]发光器件

说明书

相关申请交叉引用

本专利申请要求于2009年7月28日提交的韩国专利申请No.10-2009-0069134的优先权，其全部内容由此以引用方式并入。

技术领域

实施例涉及发光器件。

背景技术

发光二极管(LED)被频繁用作一类发光器件。

近来，发光二极管(LED)的亮度有所增加，使得发光二极管已经用作显示器、汽车和照明单元的光源。另外，发光二极管被实现为具有优良效率的发光器件，其通过使用荧光材料或组合产生各种颜色的发光二极管来发射白光。

利用施加的电力，具有通过堆叠第一导电半导体层、有源层和第二导电层形成的发光结构层的发光二极管从有源层产生光。例如，第一导电半导体层可以是n型半导体层并且第二导电半导体层可以是p型半导体层，相反地，第一导电半导体层可以是p型半导体层并且第二导电半导体层可以是n型半导体层。

同时，在发光二极管中，由于第一导电半导体层的高电阻组件，导致电流在整个有源层上没有均匀提供，并且被集中，大部分流向并围绕在第一导电半导体层上形成的电极层部分及其相邻区。由于如上提及的有限电流，发光二极管的正向电压增加，使得存在电流效率降低的问题。

发明内容

实施例提供了一种具有新结构的发光器件。

实施例提供了通过使电流能够流向有源层的宽广的区而具有改进的电流效率和光效率的发光器件。

根据实施例的发光器件，包括：第一导电半导体层；有源层，所述有源层在所述第一导电半导体层下；第二导电半导体层，所述第二导电半导体层在所述有源层下；电流阻挡区，所述电流阻挡区在所述第二导电半导体层下；第二电极层，所述第二电极层在所述第二导电半导体层和所述电流阻挡区下；以及第一电极层，所述第一电极层在所述第一导电半导体层上，包括布置的向着所述第一导电半导体层突起的突起。

根据实施例的发光器件，包括：第一导电半导体层；有源层，所述有源层在所述第一导电半导体层下；第二导电半导体层，所述第二导电半导体层在所述有源层下；第二电极层，所述第二电极层在所述第二导电半导体层下；以及第一电极层，所述第一电极层在所述第一导电半导体层上，具有焊盘单元和与所述焊盘单元连接的电极单元，其中所述电极单元包括主体和布置在所述主体下的突起；并且所述突起沿着所述主体延伸。

附图说明

图1是根据第一实施例的发光器件的横截面图；

图2是根据第一实施例的从上面的方向观察到的发光器件的图示；

图3是根据第二实施例的发光器件的横截面图；

图4是根据第三实施例的发光器件的横截面图；

图5是示出图2中所示的电极单元的详细形状的图示；

图6是根据第二实施例的发光器件的横截面图；

图7是根据第三实施例的发光器件的横截面图；

图8是示出包括根据实施例的发光器件的发光器件封装的图示；

图9是示出使用根据实施例的发光器件封装或发光器件的背光单元的图示；

图10是使用根据实施例的发光器件或发光器件封装的照明单元的透视图。

具体实施方式

在描述的实施例中，将理解的是，当每个层(或膜)、区、图案或结构被描述为形成在每个层(或膜)、区、图案或结构“上”或“下”时，“上”或“下”可以“直接”或“借助其它层(间接)”形成。另外，将基于附图描述词语“上”或“下”。

在附图中，为了说明的方便和清楚，夸大、省略或示意性示出了每个层的厚度或尺寸。另外，每个组件的尺寸没有完全反应真实尺寸。

下文中，将参照附图描述根据这些实施例的发光器件。

图1是根据第一实施例的发光器件的横截面图，并且图2是从上面观察到的根据第一实施例的发光器件的图示。

参照图1和图2，根据第一实施例的发光器件包括发光结构层，该发光结构层包括第一导电半导体层10、有源层20和第二导电半导体层30。另外，第一电极层60形成在第一导电半导体层10上，并且第二电极层50形成在第二导电半导体层30下。

例如，第一导电半导体层10可以包括n型半导体层，并且n型半导体层可以由半导体材料制成，所述半导体材料选自InAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN、InN等，其中半导体材料具有In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的化学式并且可以掺杂有n型掺杂物，例如Si、Ge、Sn等。