[发明专利]单层碳纳米管以及取向单层碳纳米管块结构体以及它们的制造方法、装置以及用途有效
| 申请号： | 201010241548.7 | 申请日： | 2005-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN101913591A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 畠贤治;饭岛澄男;汤村守雄;D·N·弗塔巴 | 申请（专利权）人： | 独立行政法人产业技术综合研究所 |
| 主分类号： | C01B31/00 | 分类号： | C01B31/00;C01B31/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 于巧玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及含有多个取向单层碳纳米管的集合体、高度在10微米以上的取向单层碳纳米管·块状体，以及含有多个取向单层碳纳米管的集合体、形状被图形化为规定形状的取向单层碳纳米管·块状体。将该结构体是在金属催化剂的存在下，在反应气氛中添加氧化剂、优选水，使碳纳米管进行化学气相成长(CVD)进行制造的。本发明提供高纯度、长度或者高度达到飞跃地大尺寸化的取向单层碳纳米管块结构体以及其制造方法以及制造装置。 | ||
| 搜索关键词： | 单层 纳米 以及 取向 结构 它们 制造 方法 装置 用途 | ||
【主权项】：
单层碳纳米管，其特征在于，具备比表面积在800～2500m2/g，以及利用荧光X射线测定的纯度在98％以上。
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