[发明专利]平面型硅压力传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 201010239737.0 | 申请日： | 2010-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN102338681A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 程晓华;方精训;彭仕敏;金峰;刘远良;邓镭 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G01L9/04 | 分类号： | G01L9/04;G01L1/16;B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种平面型硅压力传感器，其由下至上依次为：硅衬底、氮化膜、硅传感薄膜、密封氮化膜；在部分硅衬底和部分氮化膜内设有一个空腔；在硅传感薄膜内设有释放孔，该释放孔与空腔垂直连通。此外，本发明还公开了上述平面型硅压力传感器的制造方法。本发明平面型硅压力传感器的释放孔开在硅传感薄膜的内部，并与空腔结构垂直连通，无需定锚的支撑，力学性能更加稳定，有利于湿法刻蚀氧化膜牺牲层的去除，工艺简单、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 压力传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种平面型硅压力传感器，其特征在于，其由下至上依次为：硅衬底、氮化膜、硅传感薄膜、密封氮化膜；在部分硅衬底和部分氮化膜内设有一个空腔；在硅传感薄膜内设有释放孔，该释放孔与空腔垂直连通。
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